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G4S06516BT
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー（GPT）
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メーカー品番 #G4S06516BT
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データシート G4S06516BT DataSheet
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パッケージ TO-247-3
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在庫状況6723
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 25.9A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 175°C |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-247-3 |
