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G4S12020BM
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー株式会社
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メーカー品番 #G4S12020BM
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データシート G4S12020BM DataSheet
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パッケージ TO-247-3
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在庫状況3898
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7*24 日間の品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 33.2A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.6 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 30 µA @ 1200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 175°C |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-247-3 |
