画像は参考用です
G5S12008H
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI
-
メーカーグローバル・パワー・テクノロジー株式会社
-
メーカー品番 #G5S12008H
-
データシート G5S12008H DataSheet
-
パッケージ TO-220-2 Full Pack
-
在庫状況6976
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 16A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 550pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-220-2 Full Pack |
| SupplierDevicePackage | TO-220F |
