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G5S6506Z
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN5
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メーカーグローバル・パワー・テクノロジー株式会社
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メーカー品番 #G5S6506Z
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データシート G5S6506Z DataSheet
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パッケージ TDFN-8
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在庫状況9328
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7*24 日間の品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 30.5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 395pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
