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GA10JT12-263
+BOMTRANS SJT 1200V 25A
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #GA10JT12-263
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在庫状況7110
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 25A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 120mOhm @ 10A |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1403 pF @ 800 V |
| PowerDissipation(Max) | 170W (Tc) |
| OperatingTemperature | 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
