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GA35XCP12-247
+BOMIGBT 1200V SOT247
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #GA35XCP12-247
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データシート GA35XCP12-247 DataSheet
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パッケージ TO-247-3
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在庫状況5608
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1200 V |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 35 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 3V @ 15V, 35A |
| Switching Energy | 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 50 nC |
| Test Condition | 800V, 35A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 36 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
