GP2T080A120H

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GP2T080A120H

+BOM

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

  • メーカーSemiQ

  • メーカー品番 #GP2T080A120H

  • 在庫状況80

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仕様

属性
Supplier SemiQ
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 61 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1377 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 188W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4

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