GT10J312(Q)

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GT10J312(Q)

+BOM

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • メーカー東芝セミコンダクター・アンド・ストレージ

  • メーカー品番 #GT10J312(Q)

  • パッケージ TO-252-3

  • 在庫状況8116

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 10 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 20 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 10A
Power - Max 60 W
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 400ns/400ns
Test Condition 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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