IXFA8N50P3

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IXFA8N50P3

+BOM

MOSFET N-CH 500V 8A TO263

  • メーカーイクシス

  • メーカー品番 #IXFA8N50P3

  • データシート IXFA8N50P3 DataSheet

  • 在庫状況9510

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仕様

属性 値
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Polar3™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 705 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AA (IXFA)

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