IXFH20N60Q

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IXFH20N60Q

+BOM

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD

  • メーカーイクシス

  • メーカー品番 #IXFH20N60Q

  • データシート IXFH20N60Q DataSheet

  • 在庫状況4242

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仕様

属性 値
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)

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