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IXFH6N100
+BOMMOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
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メーカーイクシス
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メーカー品番 #IXFH6N100
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データシート IXFH6N100 DataSheet
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在庫状況3453
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tube |
| Series | HiPerFET™ |
| Part Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
