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IXTA1R6N100D2-TRL
+BOMMOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
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メーカーイクシス
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メーカー品番 #IXTA1R6N100D2-TRL
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在庫状況3215
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | IXYS |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | Depletion |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 1.6A (Tj) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 0V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
