IXTA3N100D2HV-TRL

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IXTA3N100D2HV-TRL

+BOM

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

  • メーカーイクシス

  • メーカー品番 #IXTA3N100D2HV-TRL

  • 在庫状況6919

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仕様

属性 値
Supplier IXYS
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 0V
Rds On(Max) @ Id Vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263HV

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