IXTM35N30

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IXTM35N30

+BOM

MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE

  • メーカーイクシス

  • メーカー品番 #IXTM35N30

  • 在庫状況9108

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1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series GigaMOS™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-204AE

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