IXUN350N10

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IXUN350N10

+BOM

MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B

  • メーカーイクシス

  • メーカー品番 #IXUN350N10

  • データシート IXUN350N10 DataSheet

  • 在庫状況9961

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 350A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.5mOhm @ 175A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 3mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 27000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B

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