JAN1N6629US

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JAN1N6629US

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DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

  • メーカーマイクロセミコーポレーション

  • メーカー品番 #JAN1N6629US

  • パッケージ E-MELF

  • 在庫状況7400

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性
Supplier Microchip Technology
Package Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/590
ProductStatus Active
DiodeType Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 880 V
Current-AverageRectified(Io) 1.4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.4 V @ 1.4 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 50 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2 µA @ 880 V
Capacitance@VrF 40pF @ 10V, 1MHz
MountingType Surface Mount
Package/Case E-MELF
SupplierDevicePackage D-5B

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