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JAN1N6630US
+BOMDIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
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メーカーマイクロチップ・テクノロジー
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メーカー品番 #JAN1N6630US
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データシート JAN1N6630US DataSheet
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パッケージ SQ-MELF, E
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在庫状況4605
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
| Series | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 900 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1.4A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.4 V @ 1.4 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 50 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 2 µA @ 900 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | SQ-MELF, E |
| SupplierDevicePackage | D-5B |
