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MBR2X080A100
+BOMDIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MBR2X080A100
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データシート MBR2X080A100 DataSheet
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パッケージ SOT-227-4
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在庫状況4
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 80A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 80 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
