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MURT10010R
+BOMDIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
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メーカーGeneSiC半導体
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メーカー品番 #MURT10010R
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データシート MURT10010R DataSheet
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パッケージ Three Tower
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在庫状況6491
365 日間品質保証
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1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 50A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 50 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
