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NP36P06SLG-E1-AY
+BOMMOSFET P-CH 60V 36A TO252
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メーカールネサス エレクトロニクス アメリカ株式会社
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メーカー品番 #NP36P06SLG-E1-AY
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在庫状況3134
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Renesas Electronics America Inc |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 30mOhm @ 18A, 10V |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 3200 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
