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NSBC123EPDXV6T1
+BOMTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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メーカーオンセミコンダクター社
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メーカー品番 #NSBC123EPDXV6T1
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データシート NSBC123EPDXV6T1 DataSheet
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パッケージ SOT-666
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在庫状況4915
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50V |
| Resistor - Base(R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base(R2) | 2.2kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 500nA |
| Power - Max | 500mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
