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P3M06060K4
+BOMSICFET N-CH 650V 48A TO247-4
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メーカーPN接合半導体
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メーカー品番 #P3M06060K4
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在庫状況60
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | PN Junction Semiconductor |
| Package | Tube |
| Series | P3M |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 48A |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 15V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 79mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.4V @ 5mA (Typ) |
| Vgs(Max) | +20V, -8V |
| PowerDissipation(Max) | 188W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-247-4L |
