PHN210T,118

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PHN210T,118

+BOM

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

  • メーカーネクスペリアUSA株式会社

  • メーカー品番 #PHN210T,118

  • データシート PHN210T,118 DataSheet

  • パッケージ SOIC-8

  • 在庫状況2254

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier Nexperia USA Inc.
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchMOS™
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 250pF @ 20V
Power - Max 2W
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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