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QJD1210010
+BOMMOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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メーカーパワーエックス株式会社
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メーカー品番 #QJD1210010
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データシート QJD1210010 DataSheet
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パッケージ Module
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在庫状況3390
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Powerex Inc. |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Power - Max | 1080W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |