R1EV58064BDARBI#B2

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R1EV58064BDARBI#B2

+BOM

IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

  • メーカールネサス エレクトロニクス アメリカ株式会社

  • メーカー品番 #R1EV58064BDARBI#B2

  • パッケージ DIP-28

  • 在庫状況5375

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Package / Case Tray
Series R1EV58064BxxR
Part Status Obsolete
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
Technology EEPROM
Memory Size 64Kb (8K x 8)
Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word Page 10ms
Access Time 100 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Through Hole

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