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TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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メーカー東芝セミコンダクター・アンド・ストレージ
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メーカー品番 #RN1911FETE85LF
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データシート RN1911FETE85LF DataSheet
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パッケージ SOT-666
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在庫状況4975
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50V |
| Resistor - Base(R1) | 10kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 100mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
