画像は参考用です
RS1JL RHG
+BOMDIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
-
メーカー台湾セミコンダクター株式会社
-
メーカー品番 #RS1JL RHG
-
データシート RS1JL RHG DataSheet
-
パッケージ DO-219AB
-
在庫状況7234
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 800mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
