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SI5519DU-T1-GE3
+BOMMOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETS
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メーカービシェイ・シリコニクス
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メーカー品番 #SI5519DU-T1-GE3
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パッケージ PowerPAK® ChipFET™ Dual
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在庫状況2531
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仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 36mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Power - Max | 10.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
