WNSC10650T6J

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WNSC10650T6J

+BOM

SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • メーカー瑞能半導体

  • メーカー品番 #WNSC10650T6J

  • パッケージ VSFN-4

  • 在庫状況6336

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7*24 日間の品質保証

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1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier WeEn Semiconductors
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 60 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 328pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)

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