AUIRF7342QTR vs AUIRF7379Q

AUIRF7342QTRとAUIRF7379Qの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

AUIRF7342QTR

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3197 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

AUIRF7379Q

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
8798 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
+BOM 見積依頼

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Specification AUIRF7342QTR AUIRF7379Q
Supplier - Infineon Technologies
Series Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A 5.8A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 38nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 690pF @ 25V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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