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AUIRF7379Q
+BOMMOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
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メーカーインフィニオンテクノロジーズ
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メーカー品番 #AUIRF7379Q
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データシート AUIRF7379Q DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況8798
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
