BAS16W vs BAS16DXV6T1

BAS16WとBAS16DXV6T1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
BAS16W

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1829 個数 | 揚州楊傑電子科技有限公司
BAS16DXV6T1

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3989 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-323 SOT-563, SOT-666
説明 DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD123 DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeConfiguration - 2 Independent
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 75 V 75 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) - 200mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 6 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 1 µA @ 75 V 1 µA @ 75 V
OperatingTemperature-Junction - -55°C ~ 150°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-AverageRectified(Io) 200mA -
Capacitance@VrF 4pF @ 0V, 1MHz -
比較モデル : BAS16W BAS16DXV6T1

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