BC847BVN115 vs BC847ALT1G

BC847BVN115とBC847ALT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC847ALT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4675 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Specification BC847BVN115 BC847ALT1G
Part Status Active Active
Transistor Type - NPN
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 110 @ 2mA, 5V
Power - Max - 300 mW
Frequency - Transition - 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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