C3M0015065K vs C3M0016120K

C3M0015065KとC3M0016120Kの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0015065K

ウルフスピード株式会社

Lifecycle: Active
Stock: 3537 個数
Package: TO-247-4
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Part B

C3M0016120K

ウルフスピード株式会社

Lifecycle: Active
Stock: 4447 個数
Package: TO-247-4
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	C3M0015065K	C3M0016120K
Series	C3M™	C3M™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	120A (Tc)	115A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	15V	15V
Rds On(Max) @ Id Vgs	21mOhm @ 55.8A, 15V	22.3mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.6V @ 15.5mA	3.6V @ 23mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	188 nC @ 15 V	211 nC @ 15 V
Vgs(Max)	+15V, -4V	+15V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	5011 pF @ 400 V	6085 pF @ 1000 V
Power Dissipation (Max)	416W (Tc)	556W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare 見積依頼