CSD17310Q5A vs CSD17556Q5B 比較
CSD17556Q5BとCSD17310Q5Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TDFN-8
TDFN-8
説明
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
34A (Ta), 100A (Tc)
21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs
1.4mOhm @ 40A, 10V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.65V @ 250µA
1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
7020 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
3.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
