CSD87330Q3D vs CSD87335Q3D
CSD87335Q3DとCSD87330Q3Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
LDFN-8
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
900pF @ 15V
Power-Max
-
6W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
