CSD87335Q3D vs CSD87352Q5D

CSD87335Q3DとCSD87352Q5Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
6547 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ
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Part B

CSD87352Q5D

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
7750 個数
Package
LDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Full specification comparison

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Specification CSD87335Q3D CSD87352Q5D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 8.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 25A
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.15V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 12.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1800pF @ 15V
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