DMG1029SV-7 vs DMG1012UW-7

DMG1029SV-7とDMG1012UW-7の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

DMG1029SV-7

アナログ・デバイセズ

Lifecycle
Active
Stock
4091 個数
Package
SOT-563-6
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

DMG1012UW-7

アナログ・デバイセズ

Lifecycle
Active
Stock
5608 個数
Package
SOT-323-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification DMG1029SV-7 DMG1012UW-7
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 500mA, 360mA 1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V 0.74 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 30pF @ 25V 60.67 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max) - 290mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 450mW -
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