FDC6301N vs FDC6310P
FDC6301NとFDC6310Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SSOT-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
説明
MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
Series
-
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
25V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
220mA
2.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
5.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9.5pF @ 10V
337pF @ 10V
Power-Max
700mW
700mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
