FDC655BN vs FDC653N

FDC653NとFDC655BNの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDC653N

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5502 個数 | オンセミコンダクター社
FDC655BN

+BOM

3988 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SSOT-6 SSOT-6
説明 MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Ta) 6.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 35mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 15 V 570 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
比較モデル : FDC653N FDC655BN

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