FDC658AP vs FDC653N

FDC653NとFDC658APの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。

仕様

FDC653N

+BOM

5502 個数 | オンセミコンダクター社

FDC658AP

+BOM

6010 個数 | フェアチャイルドセミコンダクター

パッケージ SSOT-6 SSOT-6

説明 MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

ProductStatus Active Active

FETType N-Channel P-Channel

Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V

Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Ta) 4A (Ta)

DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V

RdsOn(Max)@IdVgs 35mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA

GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 8.1 nC @ 5 V

Vgs(Max) ±20V ±25V

InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V

PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)

OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

MountingType Surface Mount Surface Mount

Series - PowerTrench®

比較モデル : FDC653N FDC658AP

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