FDC6561AN vs FDC658AP
FDC658APとFDC6561ANの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SSOT-6
SSOT-6
説明
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
8.1 nC @ 5 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
470 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
