FDG6306P vs FDG6321C

FDG6321CとFDG6306Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDG6321C

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12407 個数 | オンセミコンダクター社
FDG6306P

+BOM

20835 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
説明 MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Supplier onsemi onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA, 410mA 600mA
RdsOn(Max)@IdVgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.3nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 10V 114pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
比較モデル : FDG6321C FDG6306P

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