FDG6322C vs FDG6321C

FDG6321CとFDG6322Cの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDG6321C

+BOM

12407 個数 | オンセミコンダクター社
FDG6322C

+BOM

4629 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
説明 MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA, 410mA 220mA, 410mA
RdsOn(Max)@IdVgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : FDG6321C FDG6322C

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