FDG6316P vs FDG6318PZ

FDG6316PとFDG6318PZの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4567 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ
Part B

FDG6318PZ

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3452 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Specification FDG6316P FDG6318PZ
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 85.4pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series PowerTrench® -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 6V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -