FDG6316P vs FDG6332C-PG
FDG6316PとFDG6332C-PGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
説明
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier
-
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
N and P-Channel Complementary
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs
-
300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max
-
300mW (Ta)
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6316
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 P-Channel (Dual)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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