FDG6322C vs FDG6301N_D87Z

FDG6322CとFDG6301N_D87Zの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6322C

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 4629 個数
Package: SC-88
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

FDG6301N_D87Z

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2903 個数
Package: SC-88
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Full specification comparison

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Specification	FDG6322C	FDG6301N_D87Z
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	220mA, 410mA	220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V	4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	9.5pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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