FDG6322C vs FDG6303N_G

FDG6322CとFDG6303N_Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6322C

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4629 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

FDG6303N_G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4760 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification FDG6322C FDG6303N_G
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA, 410mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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