FDG6335N vs FDG6301N_D87Z

FDG6335NとFDG6301N_D87Zの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6335N

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
1350 個数
Package
SC-70
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Part B

FDG6301N_D87Z

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2903 個数
Package
SC-88
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Full specification comparison

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Specification FDG6335N FDG6301N_D87Z
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9.5pF @ 10V
Power - Max - 300mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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