FDG6335N vs FDG6302P

FDG6335NとFDG6302Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDG6335N

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1350 個数 | オンセミコンダクター社
FDG6302P

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5604 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
説明 N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20 MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType - 2 P-Channel (Dual)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs - 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 12pF @ 10V
Power-Max - 300mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
比較モデル : FDG6335N FDG6302P

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